薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、、滤光、、、电学等特性设计需要,,,结合基底清洁、、、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案,,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,制备具有增透、、、带通、、、、截止、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。
电子束蒸镀 | |
基底尺寸:8/6/4英寸 | 加工容量:9/18/36片(8/6/4英寸) |
反应温度:50~300℃ | 膜厚均匀性:<±2% |
靶材:Au、、、Ag、、Al、、Ni、、、、In、、、、Cr、、Ti、、SiO2、、、、Al2O3、、、、MgF2、、NiO、、、、WO3、、、、LiTaO3、、、ITO、、、、ZnS、、、、CaF2、、、、SeS2、、、、ZnS、、、TiO2、、、Si3N4等 |
薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、、、滤光、、电学等特性设计需要,,,结合基底清洁、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,,,制备具有增透、、、带通、、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。。
电子束蒸镀 | |
基底尺寸:8/6/4英寸 | 加工容量:9/18/36片(8/6/4英寸) |
反应温度:50~300℃ | 膜厚均匀性:<±2% |
靶材:Au、、、Ag、、、、Al、、、、Ni、、、In、、Cr、、Ti、、SiO2、、、Al2O3、、、、MgF2、、、NiO、、WO3、、、、LiTaO3、、、、ITO、、、、ZnS、、、、CaF2、、SeS2、、、、ZnS、、、、TiO2、、Si3N4等 |