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机械化学抛光

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CMP技术,,结合机械、、、化学抛光优势,,CMP研磨器件精度较高、、完整性好、、 不易损伤表面。。。。AG尊龙配备全自动机械化学抛光系统,,可兼容硅基、、、、氧化硅基等晶圆级表面的平坦化、、、减薄加工。。
参数基底尺寸:8/6/4英寸
产品参数
基底尺寸:8/6/4英寸
抛光速率(Si):3.5nm/s
抛光速率(SiO2):1.5nm/s
表面粗糙度:<0.5nm
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详细信息
  • 器件封装前道工艺

    AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、、、机械化学抛光(CMP)、、、器件切割(砂轮划切、、激光全切、、、激光隐切)等组合工艺,,基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案,,,,助力MEMS封装前道工序。。


机械化学抛光

基底尺寸:8/6/4英寸

抛光速率:3.5nm/s(Si),,,,

                    1.5nm/s(SiO2)

抛光材质:Si、、、SiO2

表面粗糙度:<0.5nm

       CMP技术,,结合机械、、、、化学抛光优势,,,CMP研磨器件精度较高、、完整性好、、、 不易损伤表面。。AG尊龙配备全自动机械化学抛光系统,,,可兼容硅基、、氧化硅基等晶圆级表面的平坦化、、减薄加工。。。

机械化学抛光
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CMP技术,,,结合机械、、、化学抛光优势,,,CMP研磨器件精度较高、、、、完整性好、、、 不易损伤表面。。。AG尊龙配备全自动机械化学抛光系统,,,,可兼容硅基、、、氧化硅基等晶圆级表面的平坦化、、、减薄加工。。。
基底尺寸:8/6/4英寸
抛光速率(Si):3.5nm/s
抛光速率(SiO2):1.5nm/s
表面粗糙度:<0.5nm
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  • 器件封装前道工艺

    AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、、、机械化学抛光(CMP)、、、、器件切割(砂轮划切、、、激光全切、、、激光隐切)等组合工艺,,基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案,,,,助力MEMS封装前道工序。。。


机械化学抛光

基底尺寸:8/6/4英寸

抛光速率:3.5nm/s(Si),,,,

                    1.5nm/s(SiO2)

抛光材质:Si、、SiO2

表面粗糙度:<0.5nm

       CMP技术,,,结合机械、、化学抛光优势,,CMP研磨器件精度较高、、完整性好、、、 不易损伤表面。。。AG尊龙配备全自动机械化学抛光系统,,,可兼容硅基、、、、氧化硅基等晶圆级表面的平坦化、、减薄加工。。。。

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