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【总览】8/6/4英寸MEMS组合工艺

AG尊龙团队积极开展规模化MEMS晶圆级加工，，自主可控国内首条8英寸MEMS规模化加工服务ODM产线，，，，实验区设置有激光隐切、、、、紫外光刻、、、深硅刻蚀、、电子束蒸镀、、、晶圆键合、、湿法腐蚀、、、磁控溅射、、、原子层沉积、、、、化学机械抛光等全套技术设备，，，配套百级/万级室内MEMS加工无菌车间，，可支持8英寸（兼容4/6英寸）晶圆级MEMS技术研发和加工制造。。。

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详细信息

图形转移工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆清洗、、光刻胶旋涂、、、前烘、、、对准曝光、、、后烘、、、显影在内的光刻图形转移工艺全流程，，并可对光刻掩膜结构进行形貌观测，，，，承接镀膜、、、、刻蚀、、、湿法腐蚀、、、剥离、、、激光隐切等后道工艺，，可满足MEMS传感器与致动器的产品开发需求。。。。

紫外光刻		涂胶/显影/热烘
基底尺寸：8/6/4英寸		基底尺寸：8/6/4英寸
曝光方式：渐进式软接触、、、、硬接触、、真空接触	对准精度：0.25μm	额定转速：50~5000rpm(±1)	涂胶均匀性：片内＜±1%，，，，片间＜±2%
	线宽：1μm	加速度：20000rpm/s	显影均匀性：片内＜±2%，，片间＜±3%
	曝光均匀性：2.5%	热烘温度：50~180°C(±1.5°C)	热烘均匀性：±0.75°C(50~120°C)

薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、滤光、、电学等特性设计需要，，，结合基底清洁、、、、活化、、气相沉积、、、、热处理等加工方案，，，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、、带通、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。。

原子层沉积		热处理（氧化/退火）
基底尺寸：8英寸以内靶材：Al2O3、、TiO2、、、SiO2等		基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：50片(厚度≤2mm)
反应温度：高温内腔≤500°C，，低温内腔≤300°C		真空度：5.0×10-4Pa	反应温度：400℃~1150℃
膜厚均匀性：＜±1%(Al2O3)，，，，＜±3%(SiO2)，，，，＜±3%(TiO2)		恒温区控温精度：±1℃

电子束蒸镀		磁控溅射
基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)	基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：4片
反应温度：50~300℃	膜厚均匀性：＜±2%	膜厚均匀性：＜±2.5%
靶材：Au、、、Ag、、、、Al、、、、Ni、、In、、Cr、、、Ti、、、SiO2、、Al2O3、、MgF2、、、NiO、、WO3、、、LiTaO3、、ITO、、ZnS、、、CaF2、、、SeS2、、、、ZnS、、、、TiO2、、、Si3N4等		靶材：Au、、、、Cr、、、Al、、Ni、、Ti、、、、Ta、、、、Cu、、Pt、、AlN、、Si3N4、、、ZnS、、、、SiO2、、TiO2、、、、WO3、、、ZnO、、、、PZT、、MgF2、、、、CaF2等

材料刻蚀工艺
作为重要的半导体器件制备技术，，，刻蚀，，，即完成图形转移后通过化学或物理作用移除部分材料、、、、形成器件结构的工艺统称，，，AG尊龙MEMS微纳加工平台可提供干法刻蚀、、湿法腐蚀及清洗等工艺，，，，支持MEMS技术方案验证和实验观测。。

湿法腐蚀与清洗
基底尺寸：8英寸以内	腐蚀槽容积：25片/槽
反应温度：140°C(±3°C，，，SPM)，， 90°C(±2°C，，，，SC1/SC2)，，，， 23°C(±0.5°C，，BOE/HF)	溶液：SC1、、、TMAH、、、KOH、、、、SC2、、HF、、、BOE、、、、SPM、、、、丙酮、、、乙醇、、异丙醇等
腐蚀材料：Si、、、、SiO2、、、Au、、、Ag、、、、Cu、、、Fe、、、Ti、、、Al、、、Ni、、、TiW、、Cr、、、、Ge、、In、、ITO、、、Mg、、、Mo、、Zn、、、、W 等

气态释放刻蚀		干法深硅刻蚀
基底尺寸：8英寸以内		基底尺寸：8英寸以内
刻蚀速率：100~1000nm/min	气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气)	侧壁垂直度：90°(±0.1°)	反应温度：-20~+40℃
刻蚀均匀性：<±2%		刻蚀速度：＞10μm/min (Si)，，，，＞2.5μm/min (SOI)	刻蚀深度：725μm
			深宽比：30:1
		反应气体：SF6、、C4F8、、、Ar、、、、O2等	刻蚀均匀性：±2%

器件封装前道工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、机械化学抛光（CMP）、、器件切割（砂轮划切、、激光全切、、、、激光隐切）等组合工艺，，基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案，，，，助力MEMS封装前道工序。。。。

机械化学抛光		晶圆级键合
基底尺寸：8/6/4英寸		基底尺寸：8/6/4英寸
抛光速率：3.5nm/s(Si)，， 1.5nm/s(SiO2)	抛光材质：Si、、SiO2	最高温度：500℃	键合力：100kN
	表面粗糙度：＜0.5nm	真空度范围：10-5Mbar~1000Mbar	压力重复性：±2%

砂轮切割		激光隐形切割
基底尺寸：8英寸以内	X轴行程：300mm	基底尺寸：8英寸以内
主轴功率：1.8kW	Y轴行程：300mm	刻蚀速率：100~1000nm/min	气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气)
主轴转速范围：6000~60000rpm	Z轴行程：20mm	刻蚀均匀性：<±2%
切割精度：±0.05mm	θ轴转角：380°

【总览】8/6/4英寸MEMS组合工艺

AG尊龙团队积极开展规模化MEMS晶圆级加工，，，，自主可控国内首条8英寸MEMS规模化加工服务ODM产线，，实验区设置有激光隐切、、、、紫外光刻、、深硅刻蚀、、、、电子束蒸镀、、晶圆键合、、、湿法腐蚀、、、磁控溅射、、、、原子层沉积、、化学机械抛光等全套技术设备，，，配套百级/万级室内MEMS加工无菌车间，，，，可支持8英寸（兼容4/6英寸）晶圆级MEMS技术研发和加工制造。。

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【总览】光学/压力/流量MEMS方案设计

详细信息

图形转移工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆清洗、、、、光刻胶旋涂、、前烘、、、、对准曝光、、、、后烘、、显影在内的光刻图形转移工艺全流程，，，并可对光刻掩膜结构进行形貌观测，，，，承接镀膜、、、刻蚀、、湿法腐蚀、、剥离、、、、激光隐切等后道工艺，，，可满足MEMS传感器与致动器的产品开发需求。。。。

紫外光刻		涂胶/显影/热烘
基底尺寸：8/6/4英寸		基底尺寸：8/6/4英寸
曝光方式：渐进式软接触、、硬接触、、、真空接触	对准精度：0.25μm	额定转速：50~5000rpm(±1)	涂胶均匀性：片内＜±1%，，，，片间＜±2%
	线宽：1μm	加速度：20000rpm/s	显影均匀性：片内＜±2%，，片间＜±3%
	曝光均匀性：2.5%	热烘温度：50~180°C(±1.5°C)	热烘均匀性：±0.75°C(50~120°C)

薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、、滤光、、电学等特性设计需要，，，结合基底清洁、、、、活化、、气相沉积、、、、热处理等加工方案，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、、带通、、、、截止、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。。

原子层沉积		热处理（氧化/退火）
基底尺寸：8英寸以内靶材：Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等		基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：50片(厚度≤2mm)
反应温度：高温内腔≤500°C，，，低温内腔≤300°C		真空度：5.0×10-4Pa	反应温度：400℃~1150℃
膜厚均匀性：＜±1%(Al2O3)，，，＜±3%(SiO2)，，，＜±3%(TiO2)		恒温区控温精度：±1℃

电子束蒸镀		磁控溅射
基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)	基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：4片
反应温度：50~300℃	膜厚均匀性：＜±2%	膜厚均匀性：＜±2.5%
靶材：Au、、、、Ag、、、Al、、Ni、、In、、、Cr、、、、Ti、、、、SiO2、、、Al2O3、、、、MgF2、、NiO、、WO3、、LiTaO3、、、、ITO、、、ZnS、、CaF2、、SeS2、、ZnS、、TiO2、、、、Si3N4等		靶材：Au、、、Cr、、、Al、、、Ni、、Ti、、、Ta、、、Cu、、、、Pt、、AlN、、Si3N4、、ZnS、、、、SiO2、、、TiO2、、WO3、、ZnO、、、PZT、、、MgF2、、、CaF2等

材料刻蚀工艺
作为重要的半导体器件制备技术，，，刻蚀，，即完成图形转移后通过化学或物理作用移除部分材料、、形成器件结构的工艺统称，，AG尊龙MEMS微纳加工平台可提供干法刻蚀、、湿法腐蚀及清洗等工艺，，支持MEMS技术方案验证和实验观测。。

湿法腐蚀与清洗
基底尺寸：8英寸以内	腐蚀槽容积：25片/槽
反应温度：140°C(±3°C，，SPM)，，， 90°C(±2°C，，，SC1/SC2)，，， 23°C(±0.5°C，，，，BOE/HF)	溶液：SC1、、、、TMAH、、、KOH、、、SC2、、HF、、、、BOE、、、SPM、、、、丙酮、、、乙醇、、异丙醇等
腐蚀材料：Si、、SiO2、、、Au、、、Ag、、、、Cu、、Fe、、、、Ti、、Al、、、Ni、、TiW、、、、Cr、、Ge、、In、、、、ITO、、、Mg、、、Mo、、、、Zn、、、W 等

气态释放刻蚀		干法深硅刻蚀
基底尺寸：8英寸以内		基底尺寸：8英寸以内
刻蚀速率：100~1000nm/min	气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气)	侧壁垂直度：90°(±0.1°)	反应温度：-20~+40℃
刻蚀均匀性：<±2%		刻蚀速度：＞10μm/min (Si)，，，＞2.5μm/min (SOI)	刻蚀深度：725μm
			深宽比：30:1
		反应气体：SF6、、、C4F8、、Ar、、O2等	刻蚀均匀性：±2%

器件封装前道工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、机械化学抛光（CMP）、、、、器件切割（砂轮划切、、、激光全切、、、、激光隐切）等组合工艺，，基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案，，，助力MEMS封装前道工序。。

机械化学抛光		晶圆级键合
基底尺寸：8/6/4英寸		基底尺寸：8/6/4英寸
抛光速率：3.5nm/s(Si)，， 1.5nm/s(SiO2)	抛光材质：Si、、SiO2	最高温度：500℃	键合力：100kN
	表面粗糙度：＜0.5nm	真空度范围：10-5Mbar~1000Mbar	压力重复性：±2%

砂轮切割		激光隐形切割
基底尺寸：8英寸以内	X轴行程：300mm	基底尺寸：8英寸以内
主轴功率：1.8kW	Y轴行程：300mm	刻蚀速率：100~1000nm/min	气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气)
主轴转速范围：6000~60000rpm	Z轴行程：20mm	刻蚀均匀性：<±2%
切割精度：±0.05mm	θ轴转角：380°