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    原子层沉积

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    AG尊龙可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、、滤光、、电学等特性设计需要,,,,结合基底清洁、、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案,,提供原子层沉积工艺,,,,制备具有增透、、带通、、、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。
    参数基底尺寸:8英寸以内
    产品参数
    基底尺寸:8英寸以内
    高温内腔反应温度:≤500°C
    低温内腔反应温度:≤300°C
    靶材:Al2O3、、、TiO2、、、SiO2等
    膜厚均匀性(SiO2):<±3%
    膜厚均匀性(TiO2):<±3%
    膜厚均匀性(Al2O3):<±1%
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    详细信息


    • 薄膜制备工艺

      AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、滤光、、、电学等特性设计需要,,结合基底清洁、、、活化、、气相沉积、、、、热处理等加工方案,,,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,,,制备具有增透、、、、带通、、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

    原子层沉积

    基底尺寸:8英寸以内靶材:Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2

    反应温度:高温内腔≤500°C,,低温内腔≤300°C

    膜厚均匀性:<±1%(Al2O3),,,<±3%(SiO2),,,<±3%(TiO2)


    • 纳米级、、、、高包裹性薄膜制备

      基于自限制性的前驱体交替饱和反应,,,,制备的薄膜厚度、、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控,,具有高致密性、、、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。




    原子层沉积
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    基底尺寸:8英寸以内
    高温内腔反应温度:≤500°C
    低温内腔反应温度:≤300°C
    靶材:Al2O3、、、、TiO2、、SiO2等
    膜厚均匀性(SiO2):<±3%
    膜厚均匀性(TiO2):<±3%
    膜厚均匀性(Al2O3):<±1%
    13065680938
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    • 薄膜制备工艺

      AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、滤光、、电学等特性设计需要,,,结合基底清洁、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案,,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,制备具有增透、、、带通、、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

    原子层沉积

    基底尺寸:8英寸以内靶材:Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2

    反应温度:高温内腔≤500°C,,低温内腔≤300°C

    膜厚均匀性:<±1%(Al2O3),,,<±3%(SiO2),,<±3%(TiO2)


    • 纳米级、、、、高包裹性薄膜制备

      基于自限制性的前驱体交替饱和反应,,制备的薄膜厚度、、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控,,,具有高致密性、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。。。




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