浏览器自带分享功能也很好用哦~微纳结构表征测试
MEMS产品通常具有微米级、、、纳米级的叠层、、、空腔、、台阶、、、、薄膜结构，，，，对于晶圆基底表面洁净度、、、结构棱角、、、、膜层关系等详实分析，，，有利于评估加工精度并优化方案；AG尊龙MEMS微纳加工平台提供一站式微纳结构测试服务，，，涵盖显微观测与能谱分析系统、、、探针台阶仪等设备及测试能力。。
【离子束】 | 【电子束】 | 单次扫描长度：0~150mm | 扫描速度：2~25000μm/s |
分辨率：15keV(0.6nm), 1keV(1.2nm) | 分辨率：30keV(<25nm) | 垂直扫描范围：0~1000μm | 采样率：5~2000Hz |
能量：0.05keV~30keV | 能量：3keV~30keV | 测量精度：±10nm | 测量精度：±4Å |
探针电流：400nA | 探针电流：1pA~3μA | ||
器件性能及光谱测试
针对MEMS传感器性能指标，，，AG尊龙提供以椭偏测试、、光谱测试、、激光多普勒测振等测试项目，，，，可对材料膜厚、、折射率、、、、吸收率、、透光度、、、、光波强度、、、、振动模态等性能指标进行更准确测量，，，，以保障MEMS芯片工艺质量和器件性能。。
光谱范围：2.5μm~25μm | 测量模式：腔室测量、、、贴近测量 | 光谱范围：185~3600nm | 光谱带宽：0.1~8nm，，，，8段转换（UV/Vis） 0.2~32nm，，，10段转换（NIR） |
分辨率：＞2cm-1 | 信噪比：RMS优于150000:1 | 分辨率： ±0.1nm | |
基台尺寸：边长200mm | 膜厚测量范围：0~20000nm | 位移分辨率：≥1pm | 频率范围：0Hz~5MH |
测量角度：45°~90°，，5°步进 | 短轴光斑尺寸：大光斑2~4mm 微光斑200μm | 速度分辨率：≥0.01μm/(s √Hz) | 测量速度：±12m/s |
光谱范围：210~1700nm | |||
单点测量时间：≤15s | 测量精度：±0.008nm | ||
微纳结构表征测试
MEMS产品通常具有微米级、、纳米级的叠层、、空腔、、台阶、、、薄膜结构，，对于晶圆基底表面洁净度、、、、结构棱角、、、、膜层关系等详实分析，，，有利于评估加工精度并优化方案；AG尊龙MEMS微纳加工平台提供一站式微纳结构测试服务，，，，涵盖显微观测与能谱分析系统、、探针台阶仪等设备及测试能力。。
【离子束】 | 【电子束】 | 单次扫描长度：0~150mm | 扫描速度：2~25000μm/s |
分辨率：15keV(0.6nm), 1keV(1.2nm) | 分辨率：30keV(<25nm) | 垂直扫描范围：0~1000μm | 采样率：5~2000Hz |
能量：0.05keV~30keV | 能量：3keV~30keV | 测量精度：±10nm | 测量精度：±4Å |
探针电流：400nA | 探针电流：1pA~3μA | ||
器件性能及光谱测试
针对MEMS传感器性能指标，，AG尊龙提供以椭偏测试、、、、光谱测试、、、、激光多普勒测振等测试项目，，，，可对材料膜厚、、折射率、、吸收率、、、、透光度、、、光波强度、、、振动模态等性能指标进行更准确测量，，以保障MEMS芯片工艺质量和器件性能。。
光谱范围：2.5μm~25μm | 测量模式：腔室测量、、贴近测量 | 光谱范围：185~3600nm | 光谱带宽：0.1~8nm，，8段转换（UV/Vis） 0.2~32nm，，10段转换（NIR） |
分辨率：＞2cm-1 | 信噪比：RMS优于150000:1 | 分辨率： ±0.1nm | |
基台尺寸：边长200mm | 膜厚测量范围：0~20000nm | 位移分辨率：≥1pm | 频率范围：0Hz~5MH |
测量角度：45°~90°，，，5°步进 | 短轴光斑尺寸：大光斑2~4mm 微光斑200μm | 速度分辨率：≥0.01μm/(s √Hz) | 测量速度：±12m/s |
光谱范围：210~1700nm | |||
单点测量时间：≤15s | 测量精度：±0.008nm | ||
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